产品描述

氮化铝陶瓷片

一、产品特点：

◆高精度            ◆高密度

◆多样性            ◆多选择性

◆高稳定性         ◆高可靠

二、应用领域：

薄膜金属化基板广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等。

薄膜系列产品

三、产品描述：

薄膜产品的设计经历了从原先简单的具有单一功能到现在把多个分离元件集成到一个具有复杂功能的电路板的过程。

我们具有大量可供选择的标准和定制的陶瓷基片，可以提供各种类型、各种厚度的材料和薄膜产品的加工，为客户提供各种定制服务，为客户提供各种定制服务，同时可以给出薄膜电阻的设计方案。

四、技术指标：

常用薄膜基板材料特性与一般应用氮化铝于1877年首次合成。至1980年代，因氮化铝是一种陶瓷绝缘体(聚晶体物料为70-210 W?m−1?K−1，而单晶体更可高达275 W?m−1?K−1 )，使氮化铝有较高的传热能力，至使氮化铝被大量应用于微电子学。与氧化铍不同的是氮化铝无毒。氮化铝用金属处理，能取代矾土及氧化铍用于大量电子仪器。氮化铝可通过氧化铝和碳的还原作用或直接氮化金属铝来制备。氮化铝是一种以共价键相连的物质，它有六角晶体结构，与硫化锌、纤维锌矿同形。此结构的空间组为P63mc。要以热压及焊接式才可制造出工业级的物料。物质在惰性的高温环境中非常稳定。在空气中，温度高于700℃时，物质表面会发生氧化作用。在室温下，物质表面仍能探测到5-10纳米厚的氧化物薄膜。直至1370℃，氧化物薄膜仍可保护物质。但当温度高于1370℃时，便会发生大量氧化作用。直至980℃，氮化铝在氢气及二氧化碳中仍相当稳定。矿物酸通过侵袭粒状物质的界限使它慢慢溶解，而强碱则通过侵袭粒状氮化铝使它溶解。物质在水中会慢慢水解。氮化铝可以抵抗大部分融解的盐的侵袭，包括氯化物及冰晶石〔即六氟铝酸钠〕。

应用

有报告指现今大部分研究都在开发一种以半导体（氮化镓或合金铝氮化镓）为基础且运行于紫外线的发光二极管，而光的波长为250纳米。在2006年5月有报告指一个无效率的二极管可发出波长为210纳米的光波[1]。以真空紫外线反射率量出单一的氮化铝晶体上有6.2eV的能隙。理论上，能隙允许一些波长为大约200纳米的波通过。但在商业上实行时，需克服不少困难。氮化铝应用于光电工程，包括在光学储存介面及电子基质作诱电层，在高的导热性下作晶片载体，以及作军事用途。由于氮化铝压电效应的特性，氮化铝晶体的外延性伸展也用于表面声学波的探测器。而探测器则会放置于矽晶圆上。只有非常少的地方能可靠地制造这些细的薄膜。

 

基板材料	热导率 （W/m-K.）	介电常数 和公差	损耗角	热膨胀系数 (ppm/W•K)	应用及注释
99.6%氧化铝 (Al2O3)	27	9.9 +/- 0.15@ 1 MHz	0.0001	6.5 - 7.5	适合一般电路应用、与Si和GaAs芯片工艺兼容
氮化铝(AlN)	170	8.85 +/- 0.35@ 1 MHz	0.001	4.6	适用于大功率电路、射频和微波电路
石英(SiO2)	1.38	3.82@ 1 MHz	0.000015@ 1 MHz 0.00033@ 24 GHz	0.55	适用于微波和毫米波频率（低损耗）